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  • Artigo de periodico

    An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET (2024)

    Yojo, Leonardo Shimizu; Rangel, R C; Duarte, Pedro Henrique; Sasaki, Kátia Regina Akemi; Martino, João Antonio

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: GLICOSE, DRENAGEM, TRANSISTORES

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    • ABNT

      YOJO, Leonardo Shimizu et al. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET. Solid State Electronics, v. 211, n. Ja 2024, p. 1-6, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830. Acesso em: 10 maio 2024.

    • APA

      Yojo, L. S., Rangel, R. C., Duarte, P. H., Sasaki, K. R. A., & Martino, J. A. (2024). An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET. Solid State Electronics, 211( Ja 2024), 1-6. doi:10.1016/j.sse.2023.108830

    • NLM

      Yojo LS, Rangel RC, Duarte PH, Sasaki KRA, Martino JA. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ;211( Ja 2024): 1-6.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830

    • Vancouver

      Yojo LS, Rangel RC, Duarte PH, Sasaki KRA, Martino JA. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ;211( Ja 2024): 1-6.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830

  • Trabalho de evento

    Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET (2023)

    Ramos, Daniel Augusto; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Rangel, Ricardo Cardoso; Duarte, Pedro Henrique; Martino, João Antonio

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      RAMOS, Daniel Augusto et al. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644. Acesso em: 10 maio 2024.

    • APA

      Ramos, D. A., Sasaki, K. R. A., Rangel, R. C., Duarte, P. H., & Martino, J. A. (2023). Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302644

    • NLM

      Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644

    • Vancouver

      Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644

  • Artigo de periodico

    Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity (2023)

    Duarte, Pedro Henrique; Rangel, Ricardo Cardoso; Ramos, Daniel Augusto; Yojo, Leonardo Shimizu; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio

    Source: ECS Transactions. Unidade: EP

    Subjects: ELETRODO, REFRATÁRIOS, METALOGRAFIA

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    • ABNT

      DUARTE, Pedro Henrique et al. Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity. ECS Transactions, v. 111, n. 1, p. 279-284, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/11101.0279ecst. Acesso em: 10 maio 2024.

    • APA

      Duarte, P. H., Rangel, R. C., Ramos, D. A., Yojo, L. S., Sasaki, K. R. A., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2023). Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity. ECS Transactions, 111( 1), 279-284. doi:10.1149/11101.0279ecst

    • NLM

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity [Internet]. ECS Transactions. 2023 ; 111( 1): 279-284.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1149/11101.0279ecst

    • Vancouver

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity [Internet]. ECS Transactions. 2023 ; 111( 1): 279-284.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1149/11101.0279ecst

  • Artigo de periodico

    Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation (2016)

    Itocazu, Vitor Tatsuo ; Martino, João Antonio ; Sasaki, Kátia Regina Akemi; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Sonnenberg, Victor

    Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      ITOCAZU, Vitor Tatsuo et al. Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 12, n. 2, p. 101-106, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.458. Acesso em: 10 maio 2024.

    • APA

      Itocazu, V. T., Martino, J. A., Sasaki, K. R. A., Simoen, E., Claeys, C., & Sonnenberg, V. (2016). Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation. Journal of Integrated Circuits and Systems, 12( 2), 101-106. doi:10.29292/jics.v12i2.458

    • NLM

      Itocazu VT, Martino JA, Sasaki KRA, Simoen E, Claeys C, Sonnenberg V. Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2016 ; 12( 2): 101-106.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.458

    • Vancouver

      Itocazu VT, Martino JA, Sasaki KRA, Simoen E, Claeys C, Sonnenberg V. Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2016 ; 12( 2): 101-106.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.458

  • Tese (Doutorado)

    Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica (2016)

    Sasaki, Kátia Regina Akemi; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      SASAKI, Kátia Regina Akemi. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/. Acesso em: 10 maio 2024.

    • APA

      Sasaki, K. R. A. (2016). Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/

    • NLM

      Sasaki KRA. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica [Internet]. 2016 ;[citado 2024 maio 10 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/

    • Vancouver

      Sasaki KRA. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica [Internet]. 2016 ;[citado 2024 maio 10 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/

  • Artigo de periodico

    Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs (2015)

    Sasaki, Kátia Regina Akemi; Manini, Matheus Barros; Claeys, Cor ; Simoen, Eddy ; Martino, João Antonio

    Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SASAKI, Kátia Regina Akemi et al. Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs. Solid-State Electronics, v. 112, p. 19-23, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.011. Acesso em: 10 maio 2024.

    • APA

      Sasaki, K. R. A., Manini, M. B., Claeys, C., Simoen, E., & Martino, J. A. (2015). Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs. Solid-State Electronics, 112, 19-23. doi:10.1016/j.sse.2015.02.011

    • NLM

      Sasaki KRA, Manini MB, Claeys C, Simoen E, Martino JA. Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 19-23.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.011

    • Vancouver

      Sasaki KRA, Manini MB, Claeys C, Simoen E, Martino JA. Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 19-23.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.011

  • Artigo de periodico

    Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View (2015)

    Sasaki, Kátia Regina Akemi; Aoulaiche, Marc; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio

    Source: J. Low Power Electron. Appl. 2015, 5(2), 69-80. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SASAKI, Kátia Regina Akemi et al. Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View. J. Low Power Electron. Appl. 2015, 5(2), 69-80, v. 5, n. 2, p. 69-80, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.3390/jlpea5020069. Acesso em: 10 maio 2024.

    • APA

      Sasaki, K. R. A., Aoulaiche, M., Simoen, E., Claeys, C., & Martino, J. A. (2015). Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View. J. Low Power Electron. Appl. 2015, 5(2), 69-80, 5( 2), 69-80. doi:10.3390/jlpea5020069

    • NLM

      Sasaki KRA, Aoulaiche M, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View [Internet]. J. Low Power Electron. Appl. 2015, 5(2), 69-80. 2015 ; 5( 2): 69-80.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.3390/jlpea5020069

    • Vancouver

      Sasaki KRA, Aoulaiche M, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View [Internet]. J. Low Power Electron. Appl. 2015, 5(2), 69-80. 2015 ; 5( 2): 69-80.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.3390/jlpea5020069

  • Dissertação (Mestrado)

    Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI (2013)

    Sasaki, Kátia Regina Akemi; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, MEMÓRIA RAM

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SASAKI, Kátia Regina Akemi. Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI. 2013. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/. Acesso em: 10 maio 2024.

    • APA

      Sasaki, K. R. A. (2013). Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/

    • NLM

      Sasaki KRA. Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI [Internet]. 2013 ;[citado 2024 maio 10 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/

    • Vancouver

      Sasaki KRA. Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI [Internet]. 2013 ;[citado 2024 maio 10 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/

  • Artigo de periodico

    Optimizing the front and back biases for the best sense margin and retention time in UTBOX FBRAM (2013)

    Almeida, Luciano Mendes; Sasaki, Kátia Regina Akemi; Caillat, Christian; Aoulaiche, Marc; Collaert, Nadine ; Jurczak, Malgorzata; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio

    Source: Solid-State Electronics Volume 90, December 2013, Pages 149-154. Unidade: EP

    Assunto: SIMULAÇÃO

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ALMEIDA, Luciano Mendes et al. Optimizing the front and back biases for the best sense margin and retention time in UTBOX FBRAM. Solid-State Electronics Volume 90, December 2013, Pages 149-154, v. 90, p. 149-154, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.02.038. Acesso em: 10 maio 2024.

    • APA

      Almeida, L. M., Sasaki, K. R. A., Caillat, C., Aoulaiche, M., Collaert, N., Jurczak, M., et al. (2013). Optimizing the front and back biases for the best sense margin and retention time in UTBOX FBRAM. Solid-State Electronics Volume 90, December 2013, Pages 149-154, 90, 149-154. doi:10.1016/j.sse.2013.02.038

    • NLM

      Almeida LM, Sasaki KRA, Caillat C, Aoulaiche M, Collaert N, Jurczak M, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Optimizing the front and back biases for the best sense margin and retention time in UTBOX FBRAM [Internet]. Solid-State Electronics Volume 90, December 2013, Pages 149-154. 2013 ; 90 149-154.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.02.038

    • Vancouver

      Almeida LM, Sasaki KRA, Caillat C, Aoulaiche M, Collaert N, Jurczak M, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Optimizing the front and back biases for the best sense margin and retention time in UTBOX FBRAM [Internet]. Solid-State Electronics Volume 90, December 2013, Pages 149-154. 2013 ; 90 149-154.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.02.038

  • Trabalho de evento

    Comparison between low and high read bias in FB-RAM on UTBOX FDSOI devices (2012)

    Almeida, Luciano Mendes; Martino, João Antonio ; Aoulaiche, Marc; Sasaki, Kátia Regina Akemi; Nicoletti, Talitha; Collaert, Nadine ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Jurczak, Michael J

    Source: Proceedings of the conference. Conference titles: International Conference on Ultimate Integration on Silicon. Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ALMEIDA, Luciano Mendes et al. Comparison between low and high read bias in FB-RAM on UTBOX FDSOI devices. 2012, Anais.. Piscataway: IEEE, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1109/ULIS.2012.6193357. Acesso em: 10 maio 2024.

    • APA

      Almeida, L. M., Martino, J. A., Aoulaiche, M., Sasaki, K. R. A., Nicoletti, T., Collaert, N., et al. (2012). Comparison between low and high read bias in FB-RAM on UTBOX FDSOI devices. In Proceedings of the conference. Piscataway: IEEE. doi:10.1109/ULIS.2012.6193357

    • NLM

      Almeida LM, Martino JA, Aoulaiche M, Sasaki KRA, Nicoletti T, Collaert N, Simoen E, Claeys C, Jurczak MJ. Comparison between low and high read bias in FB-RAM on UTBOX FDSOI devices [Internet]. Proceedings of the conference. 2012 ;[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ULIS.2012.6193357

    • Vancouver

      Almeida LM, Martino JA, Aoulaiche M, Sasaki KRA, Nicoletti T, Collaert N, Simoen E, Claeys C, Jurczak MJ. Comparison between low and high read bias in FB-RAM on UTBOX FDSOI devices [Internet]. Proceedings of the conference. 2012 ;[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ULIS.2012.6193357

  • Trabalho de evento

    Impact of the extension region concentration on the UTBOX IT-FBRAM (2012)

    Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Almeida, L. M.; Martino, João Antonio

    Source: Microelectronics technology and devices, SBMicro. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SASAKI, Kátia Regina Akemi e ALMEIDA, L. M. e MARTINO, João Antonio. Impact of the extension region concentration on the UTBOX IT-FBRAM. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0281ecst. Acesso em: 10 maio 2024.

    • APA

      Sasaki, K. R. A., Almeida, L. M., & Martino, J. A. (2012). Impact of the extension region concentration on the UTBOX IT-FBRAM. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0281ecst

    • NLM

      Sasaki KRA, Almeida LM, Martino JA. Impact of the extension region concentration on the UTBOX IT-FBRAM [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0281ecst

    • Vancouver

      Sasaki KRA, Almeida LM, Martino JA. Impact of the extension region concentration on the UTBOX IT-FBRAM [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0281ecst
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